Приложение
для AndroidПолное описание
Тарасова, Е. А. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Тарасова. - 2017. - 27 с. : ил. - Библиогр.: с. 25-27 (29 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.03 | 621.382.323:539.16(043) |
Кл.слова (ненормированные): РАДИАЦИОННОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар17-4249)
Шифр в сводном ЭК: f517683899e85e93ddd6594cdba82ebc
Учет качества информации в экономическом планировании / А. А. Баженов, Н. В. Муравьева, Е. А. Тарасова, 1999. - 11 с. - Текст : непосредственный.Оптимальное распределение ресурсов в планировании развития предприятия / А. А. Баженов, Н. В. Муравьева, Е. А. Тарасова, М. Л. Файнгольд, 1999. - 8 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Разработка и исследование способов комбинированной упрочняющей обработки для повышения эксплуатационных свойств винтовых передач : специальность 05.02.08 "Технология машиностроения " : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Е. А. Тарасова, 2000. - 23 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Тарасова, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Совершенствование технологии получения утфеля I кристаллизации в зависимости от качества сырья : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.18.05 / Е. А. Тарасова, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Снижение эмиссии метана на полигонах твердых коммунальных отходов / И. Н. Лыков [и др.]. - Текст : непосредственный // Проблемы региональной экологии. - Москва : Камертон, 2018. - № 4. - с. 36-40Тарасова Е.А. Обоснование перспектив стратегического развития сельскохозяйственных предприятий административного района (на материалах Ульяновской области) : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / Е. А. Тарасова, 2004. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнова Е.А. Методология и инструментарий оценки производительности труда в аграрных формированиях Ульяновской области : монография / Е. А. Смирнова, М. В. Постнова, Е. А. Тарасова, 2019. - 160 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Совершенствование предпринимательской деятельности на основе инновационных управленческих решений автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата экономических наук : автореф. дис. .. канд. экон. наук: 08.00.05 / Е. А. Тарасова, 2012. - 25 с. - Текст : непосредственный.Общегородской банк данных "Промышленные отходы" как информационная поддержка организации эффективной системы управления отходами мегаполиса / А.В. Кочуров, И.М. Малев, Е.А. Тарасова, Т.Б. Духанина // Чистый город. - М. - 2005. - № 4. - с. 10-12.
Агринская Н.В. Молекулярная электроника / Н. В. Агринская, 2004. - 110 с. - Текст : непосредственный.Золотые контакты на сверхпроводящих кристаллах YBa Cu O с очень низким удельным сопротивлением контакта. - 9 9 с. - Текст : непосредственный.Journal Microwave Power Electromagnetic Energy. - Журнал. - Текст : непосредственный. Bulletin Electrotechnical Laboratory / Electrotechnical Laboratory (Tokyo), Electrotechnical Laboratory (Tokyo). - Журнал. - Текст : непосредственный. IEEE Transactions Electron Devices / IEEE. - Журнал. - Текст : непосредственный. IEEE Transactions Magnetics / IEEE. - Журнал. - Текст : непосредственный. IEEE Transactions Microwave Theory Techniques / IEEE. - Журнал. - Текст : непосредственный. Сударь Н.Т. Физические основы молекулярной электроники : выставочные материалы / Н. Т. Сударь, 2011. - 237 с. - Текст : непосредственный.IEEE Transactions Components,Packaging Manufacturing Technology. Part B, Advanced Packaging / Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY), Institute of Electrical and Electronics Engineers (New York,NY). - Журнал выходит с 1987г. - Текст : непосредственный. Валиев К.А. Физика полупроводниковых приборов микро- и наноэлектроники / К. А. Валиев, А. А. Кокин, 1995. - 111 c. - Текст : непосредственный.Обухов И.А. Неравновесные эффекты как основа функционирования твердотельных электронных приборов / И. А. Обухов, 2014. - 46 с. - Текст : непосредственный.IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 4Pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 4Pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 2Pt.1. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 2Pt.2. IEEE Transactions Magnetics. - Журнал, 1994г. Vol. 30 № 5Pt.1. Bulletin Electrotechnical Laboratory. - Журнал, 1999г. т. 63 № 11. Bulletin Electrotechnical Laboratory. - Журнал, 1996г. т. 60 № 12. Introducing molecular electronics / SpringerLink (Online service), 2006 r=on-line. - Текст : электронный.Introducing molecular electronics / SpringerLink (Online service), 2005 r=on-line
Показать все результатыРоманов А.В. Зарядовые процессы в МДП-структурах в условиях радиационных воздействий и сильнополевой инжекции электронов / А. В. Романов, 2018. - 17 с. - Текст : непосредственный.Венедиктов М.М. Методы контроля параметров полевых транзисторов, подвергающихся нейтронному воздействию : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.13 / М. М. Венедиктов, 2018. - 20 с. - Текст : непосредственный.Тарасова Е.А. Физико-топологическое моделирование электрофизических параметров и тепловых полей в GaAs и GaN HEMT структурах в условиях радиационного воздействия : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. А. Тарасова, 2017. - 27 с. - Текст : непосредственный.Зебрев Г.И. Моделирование работы и процессов деградации МОП транзисторов, обусловленных воздействием ионизирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / Г. И. Зебрев, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Оболенский С.В. Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.27.01 / С. В. Оболенский, 2003. - 39 с. - Текст : непосредственный.Халецкий Р.А. Изменение электрофизических свойств системы кремний-подзатворный окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.05 / Р. А. Халецкий, 2006. - 15 с. - Текст : непосредственный.Киселева Е.В. Анализ транспорта электронов в гетероструктурах квазибаллистических полевых транзисторов с учетом топологии кластеров радиационных дефектов : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Е. В. Киселева, 2006. - 18 с. - Текст : непосредственный.Меньшикова Т.Г. Планарная неоднородность и радиационные эффекты в МДП структурах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Т. Г. Меньшикова, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Применко, Александра Викторовна. Комбинированная модель реакции мощного вертикального ДМОП-транзистора на воздействие импульсного гамма-излучения : 05.27.01 - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Применко Александра Викторовна, 2020. - 26 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽