Полное описание
Conradi, P. ISBN 3-18-143609-7. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ УДК 47.01.77 621.382.001.57
Рубрики: Полупроводниковые приборы -- Моделирование
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): S/378/136)
Шифр в сводном ЭК: 949ecbcda2380d13c7d1b50228dc09ca
Munzner A. Generierung von arithmetischen Building-Blocken unter Berucksichtigung anwendungsspezifischer Randbedingungen / A.Munzner, 1991. - X,115 S. S. - Текст : непосредственный. Knospe K. Integration von Optoelektronischen Bauelementen mit CMOS-Schaltungen in Silizium / K.Knospe, 1992. - 132 S. - Текст : непосредственный. Jung N.W. Beitrage zur optoelektronischen Farbanalyse transparenter Vorlagen auf der Basis spektraler Kenngrossen : Diss. / N.W.Jung, 1991. - VIII,159 S. S. - Текст : непосредственный. Esser W. BiCMOS-Schaltungen und Systemkonzepte mit Anwendungen in der Bildsignalverarbeitung / W.Esser, 1992. - 186 S. - Текст : непосредственный. Munster I. Methodik und Verfahren zum Entwurf analoger Systemkomponenten fur kundenspezifische,integrierte Schaltungen / I.Munster, 1992. - 124 S. - Текст : непосредственный. Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный. Zhang C.-X. VLSI-Plazierung mit neuronalen Lernalgorithmen / C.-X.Zhang, 1992. - VII,109 S. S. - Текст : непосредственный. Wilhelm D. Integrierter Differenz-Sensor auf der Basis von pH-empfindlichen Feldeffekttransistoren mit Pseudorefenzelektroden / D.Wilhelm, 1992. - X,130 S. S. - Текст : непосредственный. Klinger M. Untersuchugen an einem Josephson-Spektrometer : Diss. / M.Klinger, 1992. - VI,119 S. S. - Текст : непосредственный. Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный. Plasberg G. Simulation von Radarzielen fur hochauflosende Radargerate : Diss. / G.Plasberg, 1991. - 82 S. - Текст : непосредственный. Harms T. Entwicklung eines neuartigen BICMOS-Prozesses unter wesentlicher Nutzung der Hochenergie-Ionenimplantation / T.Harms, 1991. - 179 S. - Текст : непосредственный. Niewohner L. ITM-prozessierte CoSi2-Kontakte fur grossintegrierte CMOS-Schaltungen : Diss. / L.Niew@:ohner, 1991. - 112 S. - Текст : непосредственный. Zucker O. Ein integrierter Druck-/Temperatursensor in Siliziumplanartechnik : Diss. / O.Zucker, 1991. - Текст : непосредственный. Hahn H. Untersuchung und Integration von Berechnungsverfahren elementarer Funktionen auf CORDIC-Basis mit Anwendungen in der adaptiven Signalverarbeitung : Diss. / H.Hahn, 1991. - 164 S. - Текст : непосредственный. Schad R. Leitfahigkeit ultradunner epitaktischer Silberschichten auf Silizium (111) / R.Schad, 1991. - 88 S. - Текст : непосредственный. Wolters C. CMOS-Schaltnetz-Synthese mit Komplexgattern : Diss. / C.Wolters, 1991. - 118 S. - Текст : непосредственный. Fichtel J. BICMOS-Schaltungskomponenten fur die analoge Signalverarbeitung : Diss. / J.Fichtel, 1991. - 135 S. - Текст : непосредственный. Feng Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : Diss. / Y.Feng, 1991. - 171 p. - Текст : непосредственный. Walther M. AlGaAs-Quantenfilmmodulatoren mit integriertem Fabry-Perot-Resonator / M.Walther, 1991. - 131 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Григоров И.В. Применение теории нелинейных волновых процессов в радиотехнике и телекоммуникациях / И. В. Григоров, С. М. Широков, 2006. - 350 с. - Текст : непосредственный. Голубенцев А.Ф. Введение в статистическую электронику / А. Ф. Голубенцев, Ю. И. Денисов, Л. М. Минкин, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный. Белов П.В. Статистическая радиотехника / П. В. Белов, А. В. Назаркин, Э. М. Черниговская, 2006. - 88 с. - Текст : непосредственный. Schubert M. Infrared ellipsometry on semiconductor layer structures / M. Schubert, 2005 r=on-line. - Текст : электронный. Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный. Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный. Казаков В.А. Введение в теорию марковских процессов и некоторые радиотехнические задачи, 1973. - 231 с. - Текст : непосредственный. Герман-Галкин С.Г. Компьютерное моделирование полупроводниковых систем в MATLAB 6.0 / С. Г. Герман-Галкин, 2001. - 320 с. - Текст : непосредственный. COMPEL : International Journal for Computation and Mathematics in Electrical and Electronic Engineering. - Журнал выходит с 1982г. r=on-line. - Текст : электронный. Кальней С.Г. Обыкновенные дифференциальные уравнения, их применение в электронике / С. Г. Кальней, Б. И. Фридлендер, 1997. - 306 с. - Текст : непосредственный. Ластовкин А.А. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона и их применение для спектроскопии гетероструктур на основе HgTe/CdTe с квантовыми ямами. А. Ластовкин : специальность 01.04.03 "Радиофизика", 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. А. Ластовкин, 2014. - 18 с. - Текст : непосредственный. Худяков Г.И. Статистическая теория радиотехнических систем : учебное пособие / Г. И. Худяков, 2009. - 397 с. - Текст : непосредственный. Токарев А.Б. Статистическая радиотехника : выставочные материалы / А. Б. Токарев, 2015. - 210 с. - Текст : непосредственный. Федоров В.А. Анализ и исследование полупроводниковых материалов : учебное пособие / В. А. Федоров, Н. Т. Кузнецов, 2008. - 84 с. - Текст : непосредственный. Molenaar J. Non-linear multigrid in 2-D semiconductor device simulation:the zero current case / J. Molenaar, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный. Molenaar J. multigrid approach for the solution of the 2D semiconductor equations / J. Molenaar, P. W. Hamker, 1990. - 18 p. - Текст : непосредственный. Инженерные исследования радиоэлектронных систем : учебное пособие / В. В. Смирнов, В. А. Иванов, М. В. Вишенцев, Н. В. Сотникова, 2008. - 83 с. - Текст : непосредственный. Радчук Н.Б. Стандартизация, сертификация. метрология и технические измерения параметров полупроводниковых материалов : выставочные материалы / Н. Б. Радчук, А. Ю. Ушаков, 2013. - 103 с. - Текст : непосредственный. Cole E. Mathematical and numerical modelling of heterostructure semiconductor devices: from theory to programming / E. Cole, 2009 r=on-line. - Текст : электронный. Сергеев В.А. Нелинейные тепловые модели полупроводниковых приборов / В. А. Сергеев, А. М. Ходаков, 2012. - 159 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Новоселов А.Ю. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольтамперными характеристиками N-типа и приборов на их основе : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук / А. Ю. Новоселов, 2000. - 22 с. - Текст : непосредственный. Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах : материалы временных коллективов / Институт микроэкономики (Ярославль), 1990. - 119 c. - Текст : непосредственный. Диалло Тьерно Ибрагим.Моделирование физических и физико-химических процессов,происходящих при изготовлении и деградации изделий из поликристаллического карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Диалло Тьерно Ибрагим, 1993. - 13 с. - Текст : непосредственный. Molenaar J. Non-linear multigrid in 2-D semiconductor device simulation:the zero current case / J. Molenaar, 1989. - 15 p. - Текст : непосредственный. Molenaar J. multigrid approach for the solution of the 2D semiconductor equations / J. Molenaar, P. W. Hamker, 1990. - 18 p. - Текст : непосредственный. Grahn K.J. Two-dimensional numerical modeling of advanced semiconductor devices from the physical point of view / K. J. Grahn, 1993. - 78 p. - Текст : непосредственный. Nooyen R.R.P.van Petrov-Galerkin mixed finite element method with exponential fitting / R. R.P.van Nooyen, 1992. - 21 p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Шувалов Д.С. Математическое моделирование асимметричных реверсивно-включаемых динисторов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.18 / Д. С. Шувалов, 2003. - 22 с. - Текст : непосредственный. Lai C.-H. Some experiences of solving 1-D semiconductor device equations on a Matrix coprocessor by a domain decomposition method / C.-H.Lai,H.J.J.te Riele, 1993. - 17 p. - Текст : непосредственный. Constapel R. Numerische Simulation von Halbleiterbauelementen auf der Basis von Mehrgitterverfahren / R.Constapel, 1992. - V,105 S. S. - Текст : непосредственный. Conradi P. Dreidimensionale Analyse elektronischer Bauelemente mit Miltigrid-Verfahren unter Verwendung einer Binarbaum-Datenstruktur / P.Conradi, 1992. - VI,98 S. S. - Текст : непосредственный. Новиков С.Г. Моделирование и исследование полупроводниковых структур с отрицательным дифференциальным сопротивлением и приборов на их основе : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.01 / С. Г. Новиков, 1998. - 18 с. - Текст : непосредственный. Molenaar J. Multigrid for semiconductor device simulation: cell-centered of vertex-centered multigrid? / J.Molenaar, 1991. - 19 p. - Текст : непосредственный. Thoma R. Entwicklung eines hydrodynamischen Gleichungssystems zur Beschreibung von Halbleiterbauelementen : Diss. / R.Thoma, 1991. - 77 S. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
