Полное описание
Mochizuki, K.
ГРНТИ УДК 47.57 621.384.3.002
Рубрики: Приемники излучения -- Производство
Кл.слова (ненормированные): МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ -- ПРИЕМНИК
Доп. точки доступа: Masumoto, K.
Iwanaga, H.
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/11911/243)
Шифр в сводном ЭК: 460a6225d25e8f3444fe1cc64faa054a
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Mochizuki K. MCT single crystal growth by travelling heater method with mercury reservoir / K.Mochizuki,K.Masumoto,H.Iwanaga, 1990. - 4(722-726) p. p. - Текст : непосредственный. Hetero-epitaxial growth of Pb1-X Cdx S1-y Sey thin film by the hot-wall method / K.Mochizuki,H.Iwata,M.Isshiki,K.Masumoto, 1992. - 687-691 p. p. - Текст : непосредственный. Mochizuki K. Effects of heat-treatments on the photoluminescence spectra in AgGaS2 / K.Mochizuki,E.Niwa,K.Masumoto, 1992. - 231-235 p. p. - Текст : непосредственный. Masumoto K. Crystal growth and characterization of AgGaS2 / K.Masumoto,K.Mochizuki, 1992. - 93-100 p. p. - Текст : непосредственный. Abe S. The flexural strength and electrical properties of a B-doped BPSCCO superconductor / S.Abe,N.Nakamura,K.Masumoto, 1993. - 4-8 p. p. - Текст : непосредственный. Some characteristics of AgGaS2 single crystals grown from melt / K.Mochizuki,E.Niwa,H.Iwanaga,K.Masumoto, 1993. - 41-48 p. p. - Текст : непосредственный. Mochizuki K. Melting point of AgGaS2 / K.Mochizuki,K.Masumoto, 1990. - 1(855-856) p. p. - Текст : непосредственный. Solid-vapor equilibrium constant for II-VI ternary solid solutions / K.Mochizuki,E.Suzuki,K.Masumoto,T.Kiyosawa, 1990. - 3 p. - Текст : непосредственный. Formation of b-FeSi-2 from the sintered eutectic alloy FeSi-Fe-2 Si-5 doped with cobalt / T.Kojima,K.Masumoto,M.A.Okamoto,I.Nishida, 1990. - 7 p. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Ishio S. Magnetostriction of amorphous rare-earth - Fe alloys / S.Ishio,S.Kadowaki, 1989. - 6(358-364) p. p. - Текст : непосредственный. Mochizuki K. MCT single crystal growth by travelling heater method with mercury reservoir / K.Mochizuki,K.Masumoto,H.Iwanaga, 1990. - 4(722-726) p. p. - Текст : непосредственный. Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport reaction / Y.Noda,T.Kurasawa,N.Sugai и др., 1990. - 6(757-761) p. p. - Текст : непосредственный. Kikuchi M. Magnetoelastic effects of Fe-Pd alloys / M.Kikuchi,T.Nakayama,S.Kadowaki, 1990. - 7 p. - Текст : непосредственный. Watanabe K. Microstructures and permanent magnet properties of iron and platinum magnet / K.Watanabe,K.Hiraga, 1989. - 5(161-166) p. p. - Текст : непосредственный. Mochizuki K. Melting point of AgGaS2 / K.Mochizuki,K.Masumoto, 1990. - 1(855-856) p. p. - Текст : непосредственный. Solid-vapor equilibrium constant for II-VI ternary solid solutions / K.Mochizuki,E.Suzuki,K.Masumoto,T.Kiyosawa, 1990. - 3 p. - Текст : непосредственный. new quantitative anomalous X-ray scattering method for the structural analysis of amorphous thin films / E.Matsubara,Y.Waseda,M.Mitera,T.Masumoto, 1989. - 704 p. - Текст : непосредственный. Magnetostriction of amorphous Pr-A2 (Fe-1-x Co-x)-0,8 alloys / S.Ishio,S.Takahashi,T.Miyazaki,S.Kadowaki, 1990. - 6 p. - Текст : непосредственный. Goto T. Mossbauer study of permanent magnets Fe-Pt / T.Goto,H.Utsugi,K.Watanabe, 1990. - 6 p. - Текст : непосредственный. Formation of b-FeSi-2 from the sintered eutectic alloy FeSi-Fe-2 Si-5 doped with cobalt / T.Kojima,K.Masumoto,M.A.Okamoto,I.Nishida, 1990. - 7 p. - Текст : непосредственный. Шахраманьян Н.А. Электронно-оптические визуализаторы инфракрасных изображений : специальность 05.27.02 "Вакуумная и плазменная электроника" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Н. А. Шахраманьян, 1998. - 40 с. - Текст : непосредственный. Schneider H. Quantum well infrared photodetectors / H. Schneider, H. C. Liu, 2007 r=on-line. - Текст : электронный. Михайличенко А.В. Разработка технологических основ создания наноструктурированных пленок оксидов ванадия методом импульсного лазерного осаждения и приборов на их основе / А. В. Михайличенко, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный. Денисов Ю.А. Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. А. Денисов, 1998. - 22 с. - Текст : непосредственный. Талипов Н.Х. Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений Cdx 1-x Te радиационно-термическими воздействиями / Н. Х. Талипов, 2015. - 46 с. - Текст : непосредственный. Шрайбер Г. Инфракрасные лучи в электронике / Г. Шрайбер, 2001. - 237 с. - Текст : непосредственный. Бондаренко Е.А. Разработка и исследование многофункциональных полупроводниковых оптоэлектронных приборов для ближней и средней ИК области спектра оптического излучения : специальность 05.27.01 "Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано-электроника, приборы на квантовых эффектах" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра техн.наук / Е. А. Бондаренко, 1995. - 47 с. - Текст : непосредственный. Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный. Пономаренко В.П. Инфракрасная техника и электронная оптика. Становление научных направлений, 1946-2006 / В. П. Пономаренко, А. М. Филачев, 2008. - 334 с. - Текст : непосредственный. Эффект однофотонного детектирования оптического и ИК излучений в тонких сверхпроводящих NbN пленках / О. В. Окунев, Г. М. Чулкова, А. А. Корнеев [и др.], 2014. - 127 с. - Текст : непосредственный. Wissensspeicher Infrarottechnik / Federfuhr.: K. Herrmann, L. Walther, 1990. - 444 S. - Текст : непосредственный. Тепловидение : Сб.науч.тр. / Моск.гос.ин-т радиотехники,электроники и автоматики(техн.ун-т). 12, 1998. - 102 с. - Текст : непосредственный. Макаров А.С. Введение в технику разработки и оценки сканирующих тепловизионных систем / А. С. Макаров, А. И. Омелаев, В. Л. Филиппов, 1998. - 318 с. - Текст : непосредственный. Яковлев Ю.П. Инфракрасная оптоэлектроника на основе многокомпонентных твердых растворов антимонида галлия : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. П. Яковлев, 1995. - 48 с. - Текст : непосредственный. Чиванов А.Н. Принципы построения модульных тепловизионных приборов с последовательно-параллельным сканированием : специальность 05.11.07 "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / А. Н. Чиванов, 2005. - 20 с. - Текст : непосредственный. Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный. Багдуев Р.И. Рождение и развитие в Сибири электронно-оптических преобразователей новых поколений и создание на их базе современных приборов ночного видения / Р. И. Багдуев, 2009. - 55 с. - Текст : непосредственный. Recent developments in infrared components and subsystems / Ed. C. T. Elliott, 1988. - VI,116 p. p. - Текст : непосредственный. Infrared systems-design and testing : материалы временных коллективов / Ed.: P. R. Hall, J. Seeley, 1988. - VI,165 p. p. - Текст : непосредственный. Applications of infrared technology : материалы временных коллективов / Ed. T. L. Williams, 1988. - VI,149 p. p. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Денисов И.А. Разработка технологии выращивания эпитаксиальных слоев кадмий-ртуть-теллур методом жидкофазной эпитаксии для инфракрасных фотоприемников : специальность 05.17.01 "Технология неорганических веществ" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / И. А. Денисов, 2007. - 25 с. - Текст : непосредственный. Бенюшис Т.И. Закономерности роста и физические свойства гетероэпитаксиальных структур на основе КРТ при плазмостимулированном осаждении из МОС : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Т. И. Бенюшис, 1996. - 17 с. - Текст : непосредственный. Infrared optical materials VI : материалы временных коллективов / Ed. S. Musikant, 1988. - VI,158 p. p. - Текст : непосредственный. Стариченко Г.П. Пироэлектрический эффект в объемных образцах при поперечной и продольной схемах измерения : специальность 01.04.05 "Оптика" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Г. П. Стариченко, 2000. - 16 с. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Д. В. Григорьев, 2005. - 22 с. - Текст : непосредственный. Григорьев Д.В. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структ урах Cd Hg Te, выращенных мет одом молекулярно-лучевой эпитаксии / Д. В. Григорьев, 2005. - 24 с. - Текст : непосредственный. Дорофеев В.В. Осаждение эпитаксиальных слоев p-CdxHg1-xTe из паров ртути, диметилкадмия и алкильных соединений теллура на подложках из арсенида галлия : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / В. В. Дорофеев, 2005. - 24 c. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Протасов Д.Ю. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект в пленках МЛЭ р-Cd Hg Te : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Д. Ю. Протасов, 2008. - 21 с. - Текст : непосредственный. Селим-Заде Расул Иса.Энергетическая диаграмма примесных состояний и явления переноса заряда в бесщелевом Cd Hg Te : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Селим-Заде Расул Иса, 1990. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ерохов В.Ю. Гальваномагнитные эффекты и структурные несовершенства в объемных кристаллах и эпитаксиальных слоях Hg CdxTe : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В. Ю. Ерохов, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный. Григорьев Л.В. Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Л. В. Григорьев, 2008. - 15 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
