• ВХОД

    •  

    Полное описание

    Пунанов, И. Ф. Высоковольтный наносекундный пробой конденсированных сред : учебное пособие / И. Ф. Пунанов, И. С. Жидков, С. О. Чолах ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина, [Физико-технологический институт]. - Екатеринбург : Изд-во Урал. ун-та, 2018. - 115 с. : ил. - Библиогр.: с. 112-115 (37 назв.). - 40 экз. - ISBN 978-5-7996-2500-9. - Текст : электронный.

    ГРНТИ УДК
    45.09.37621.315.61.015.51
    ББК
    34.2

    Рубрики:
    Диэлектрики -- Пробой

    Кл.слова (ненормированные): ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ПРОБОЙ -- ДИЭЛЕКТРИК -- КОМПОЗИТНЫЙ МАТЕРИАЛ -- КОНДЕНСИРОВАННАЯ СРЕДА -- МОНОКРИСТАЛЛ -- НАНОСЕКУНДНЫЙ ПРОБОЙ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТОК
    Аннотация: Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 11.03.04 — Электроника и наноэлектроника, аспирантов и научных работников. Кратко описаны существующие модели пробоя в кристаллах и жидкостях. Изложены результаты экспериментальных исследований пробоя конденсированных диэлектриков по таким характеристикам, как скорость развития канала пробоя, ток формирования канала, давление в канале пробоя, параметры плазмы в канале пробоя, кристаллографическая направленность каналов. Рассмотрены некоторые экспериментальные методы. Учебное пособие может быть использовано для студентов и аспирантов физических специальностей, в том числе по курсам «Электрорадиоматериалы», «Электрофизические методы обработки материалов».
    Доп. точки доступа:
    Жидков, И.С.
    Чолах, С.О.
    Емлина, Р. В.\ред.\
    Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина (Екатеринбург). Физико-технологический институт

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-18/64366)

    Шифр в сводном ЭК: 86949acc3d00523dc24b479d5afbdc28



    Заказ фрагмента документа ₽