Приложение
для AndroidПолное описание
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный.Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный.Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный.Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный.Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный.Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный.Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный.Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный.Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный.Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный.Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный.La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный.Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный.Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный.Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыМоскалев П.Н. Действие газообразных аммиака и воды на органический полупроводник Nd-дифталоцианин / П. Н. Москалев, А. И. Сибилев, 1997. - 8 с. - Текст : непосредственный.Юсибов Ю.А. Некоторые закономерности фазообразования, фазовых равновесий и термодинамических характеристик в системах А -В (В)-Х / Ю. А. Юсибов, 1993. - 30 c. - Текст : непосредственный.Аждаров Г.Х. Подвижность электронов и дырок в кристаллах твердых растворов германий-кремний при рассеянии на беспорядках сплава / Г. Х. Аждаров, Н. А. Агеев, Э. С. Гусейнова, 1989. - 16 с. - Текст : непосредственный.
Каражанов С.Ж. Самоорганизация диссипативных структур в разогретой электронной подсистеме полупроводников с экситонным механизмом фотовозбуждения / С.Ж.Каражанов, 1990. - 11 с. - Текст : непосредственный.Пелещак Р.М. Влияние эффекта рассеяния на электронную плотность и деформацию решетки в окрестности границы областей полупроводника с различными механическими напряжениями / Р.М.Пелещак,И.В.Стасюк, 1990. - 20 с. - Текст : непосредственный.Козырев С.П. Особенности перестройки колебательных спектров сплавов полупроводник-полуметалл CdTe-HgTe / С. П. Козырев, В. Н. Пырков, Л. К. Водопьянов, 1991. - 60 с. - Текст : непосредственный.Недопекин В.Г. Наблюдение синхронных многосуточных флуктуаций тока запертого p-n - перехода и плотности солнечного ветра в области инфранизких частот / В. Г. Недопекин, В. И. Рогов, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный.Извеков С.В. Автоколебания электронно-дырочной плотности в примесных органических полупроводниках при оптической накачке / С.В.Извеков,В.И.Сугаков, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный.Чикилев А.О. Метод углового потенциала в краевых задачах по физике замагниченных полупроводников / А.О.Чикилев,П.А.Крутицкий, 2003. - 24 с. - Текст : непосредственный.Деструкционно-полимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.1.Индуцированные процессы и дефекты / О.И.Шпотюк,К.К.Шварц,В.Н.Корнелюк и др., 1991. - 62 с. - Текст : непосредственный.Деструкционно-полимеризационные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.2.Математическое моделирование / О.И.Шпотюк,К.К.Шварц,В.Н.Корнелюк и др., 1991. - 105 с. - Текст : непосредственный.Quantum-size p-n juctions in silicon / N.T.Bagraev,A.M.Malyarenko,L.E.Klyachkin,V.L.Sukhanov, 1991. - 22 p. - Текст : непосредственный.Теория краевого поглощения и определение зонных параметров полупроводников системы Hg Cdx Te / Б.Ф.Биленький,Ю.В.Данилюк,Н.А.Кульчицкий и др., 1991. - 30 c. - Текст : непосредственный.Новые четверные полумагнитные твердые растворы Hg -x-yCd Mn Te и Hg -x-yCd My Se / Н.Н.Гавалешко,Ю.И.Мазур,С.Ю.Паранчич,Л.Д.Паранчич, 1991. - 28 с. - Текст : непосредственный.Структурные и люминесцентные свойства соединений типа PbGa Se / Ф.Ш.Айдаев,Г.К.Асланов,О.Б.Тагиев,Б.М.Иззатов, 1991. - 42 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результаты| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
 |  |
Заказ фрагмента документа ₽