Полное описание
> Веремейченко, Г. Н. Источники направленных потоков плазмы в парах металлов : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Г. Н. Веремейченко. - М., 1990. - 19 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.:с. 19(9 назв.)
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.77.002.5(043) | |
| 47.33.31 |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР91-0197)>
Шифр в сводном ЭК: 4a007fbaf49bf98de6a6b5b9b30daa4a
Захаров Н.П. Механические явления в интегральных структурах / Н. П. Захаров, А. В. Багдасарян, 1992. - 144 с. - Текст : непосредственный.Шугуров А.Р. Эволюция рельефа поверхностей тонких пленок в процессе их формирования при внешних воздействиях: фрактальный анализ : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Р. Шугуров, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный.Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Кристовский Г.В. Электронно-физическое моделирование КМОП БИС / Г. В. Кристовский, Л. А. Маслова, Ю. В. Фастовец, 1990. - 15 с. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Multiple-valued logic in VLSI design / Ed. J. T. Butler, 1991. - VII,120 p. p. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Малинаускас К.К. Разработка математического и программного обеспечения систем топологического проектирования СБИС с использованием диаграмм Вороного : специальность 05.13.11 "Математическое и программное обеспечение вычислительных машин,комплексов и компьютерных сетей" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. К. Малинаускас, 2007. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Баринов С.В. Разработка и исследование комплекса генетических алгоритмов разбиения схем с учетом временных задержек / С. В. Баринов, 2008. - 16 с. - Текст : непосредственный.Усикова М.А. Методы сверхлокального и селективного препарирования кремниевых интегральных схем / М. А. Усикова, 2011. - 16 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineВенцов Н.Н. Исследование и разработка генетических алгоритмов и автоматов адаптации для повышения эффективности доступа к данным САПР СБИС : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)", 05.13.17 "Теоретические основы информатики" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / Н. Н. Венцов, 2006. - 16 с. - Текст : непосредственный.Пак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыВеремейченко Г.Н. Источники направленных потоков плазмы в парах металлов : специальность 05.27.07 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / Г. Н. Веремейченко, 1990. - 19 с. - Текст : непосредственный.Говядинов А.Н. Исследование тонкопленочного молекулярно-напыленного оксидного катода для вакуумных интегральных микросхем : специальность "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени 05.27.01 / А. Н. Говядинов, 1991. - 17 с. - Текст : непосредственный.Чепахин В.Г. Исследование и разработка магнетронных распылительных устройств с эффективным использованием материала мишени : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07 / В. Г. Чепахин, 1994. - 21 с. - Текст : непосредственный.Фролова Г.В. Автоматизация синтеза проектных решений при создании технологического оборудования микроэлектроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.техн.наук:05.27.07;05.13.12 / Г. В. Фролова, 1993. - 24 с. - Текст : непосредственный.Белоусов В.М. Разработка и исследование электроннолучевого оборудования для отжига и рекристаллизации структур интегральной электроники : Автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук:05.27.07 / В. М. Белоусов, 1996. - 24 с. - Текст : непосредственный.
Заказ фрагмента документа ₽