Полное описание
> Бондаренко, Л. В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко. - 2012. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 18-21 . - Текст : непосредственный.
| ГРНТИ | УДК | |
| 47.13.11 | 621.3.049.771.14-047.84(043) |
Кл.слова (ненормированные): БОЛЬШИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ БОЛЬШИЕ -- МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- ПРОИЗВОДСТВО -- РЕКОНСТРУИРОВАННЫЕ ПОВЕРХНОСТИ -- СТРУКТУРА -- ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-22459)>
Шифр в сводном ЭК: 32dccf0cfb2f302347a096eddce39d23
Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Безопасность жизнедеятельности / Л. В. Бондаренко, В. В. Персиянов, В. А. Кудрявцев, В. Г. Ткачев, 2001. - 196 с. - Текст : непосредственный.
Биология Черного моря у берегов Юго-Восточного Крыма : монография / А. В. Агафонов [и др.; под ред. Н. С. Костенко], 2018. - 375 с. - Текст : непосредственный.Мониторинг и оценка эколого-социо-экономического развития территории / М. В. Россинская [и др.], 2012. - 188 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Радиосигналы : учеб. пособие / Л. В. Бондаренко, 2011. - 158 с. - Текст : непосредственный.Безопасность жизнедеятельности : учеб. пособие / Л. В. Бондаренко [и др.]; под общ. ред. Н. К. Демика, 2007. - 229 с. - Текст : непосредственный.Безопасность жизнедеятельности : учеб. пособие / Л. В. Бондаренко [и др.], 2008. - 229 с. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Формирование конкурентных преимуществ отраслей сферы услуг региона (на примере Ростовской области) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 105 с. - Текст : непосредственный.Совершенствование организации и управления в сфере услуг региона / С. С. Абрамов [и др.], 2012. - 253 с. - Текст : непосредственный.Развитие экспортной инфраструктуры продукции АПК / И. Г. Ушачев, А. Г. Папцов, А. И. Алтухов [и др.], 2022. - 457 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.Экспортная политика в АПК: институты и механизмы развития / И. Г. Ушачев, А. Г. Папцов, А. И. Алтухов [и др.]; [под общей научной редакцией А. И. Алтухова], 2022. - 409 с. - Текст (визуальный) : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Виноградов М.И. Вакуумные процессы оборудование ионно-и электронно- лучевой технологии / М. И. Виноградов, Ю. П. Маишев, 1989. - 53 с. - Текст : непосредственный.Полтавцев Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев, 1990. - 206 c. - Текст : непосредственный.Моносилан в технологии полупроводниковых материалов / Е. П. Белов, Е. Н. Лебедев, Ю. П. Григораш [и др.], 1989. - 66 с. - Текст : непосредственный.Голод С.В. Методы формирования трехмерных микро- и наноструктур на основе напряженных SiGe/Si пленок : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / С. В. Голод, 2006. - 23 с. - Текст : непосредственный.Пичугин К.Н. Эффекты квантовой интерференции в электронном транспорте через двумерные наноструктуры : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / К. Н. Пичугин, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный.Игонина Т.И. Технологическое обеспечение качества поверхности полупроводниковых пластин информационно-измерительных устройств / Т. И. Игонина, 2007. - 22 с. - Текст : непосредственный.Неустроев Е.П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.Новиков П.Л. Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / П. Л. Новиков, 2000. - 19 с. - Текст : непосредственный.Моряков О.С. Сборка / О. С. Моряков, 1990. - 126 c. - Текст : непосредственный.Мартынов В.В. Литографические процессы / В. В. Мартынов, Т. Е. Базаров, 1990. - 128 c. - Текст : непосредственный.Nastasi M. Ion implantation and synthesis of materials / M. Nastasi, J. W. Mayer, 2006 r=on-lineПак М.М. Моделирование элементов нейронных сетей на основе твердотельных нанообъектов : специальность 05.13.12 "Системы автоматизации проектирования (по отраслям)" : диссертация на соискание ученой степени канд. техн. наук / М. М. Пак, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.Д. Технология приборов на арсениде галия / А. Д. Смирнов, 1994. - 48 c. - Текст : непосредственный.Анищенко Л.М. Автоматизированное проектирование и моделирование технологических процессов микроэлектроники / Л. М. Анищенко, С. Ю. Лавренюк, В. В. Петрухин, 1995. - 177 c. - Текст : непосредственный.Бондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Жук С.В. Исследование процессов лазерного отжига полупроводников методами имитационного моделирования : специальность 05.27.05 "", 05.13.16 "" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук / С. В. Жук, 1990. - 18 с. - Текст : непосредственный.Экспериментально-теоретическое исследование процесса формирования системы кислородосодержащий преципитат-дислокационные петли / Р. В. Гольдштейн, К. Б. Устинов, П. С. Шушпанников [и др.], 2007. - 29 с. - Текст : непосредственный.Гиндин П.Д. Разработка новых технологий и оборудования на основе метода лазерного управляемого термораскалывания для обработки деталей приборостроения, микро- и оптоэлектроники : специальность 05.11.14 "Технология приборостроения" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / П. Д. Гиндин, 2010. - 43 с. - Текст : непосредственный.Herstellung beweglicher LIGA-Mikrostrukturen durch positionierte Abformung / A. Both, W. Bacher, M. Heckele, R. Ruprecht, 1995. - III,103 S. S. - Текст : непосредственный.Бабанов Ю.Е. Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния / Ю. Е. Бабанов, В. Б. Световой, 1990. - 47 с. - Текст : непосредственный.
Показать все результатыБондаренко Л.В. Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111) / Л. В. Бондаренко, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Серегин Д.С. Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем / Д. С. Серегин, 2011. - 21 с. - Текст : непосредственный.
Стоянов А.А. Влияние конструктивно-технологических факторов на сборку 3D БИС с использованием технологии перевернутого кристалла (flip-chip) : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. А. Стоянов, 2017. - 18 с. - Текст : непосредственный.Орешков М.В. Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 01.04.10 / М. В. Орешков, 2012. - 19 с. - Текст : непосредственный.Смирнов А.А. Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме HBr и его смесей с аргоном, гелием и водородом : автореф. дис. .. канд. физ.-м ат. наук: 02.00.04 / А. А. Смирнов, 2010. - 16 с. - Текст : непосредственный.Малыхин Е.М. Взаимодействие плазмы с поверхностью оптических элементов, используемых в литографии экстремального УФ (13.5 нм) : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.08 / Е. М. Малыхин, 2011. - 24 с. - Текст : непосредственный.Родионов И.А. Разработка литографических процессов изготовления СБИС с размерами элементов меньше длины волны экспонирующего излучения : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.11.14 / И. А. Родионов, 2010. - 17 с. - Текст : непосредственный.Фортинский Ю.К. Управление разработкой и производством микросхем нового поколения двойного применения : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.13.10 / Ю. К. Фортинский, 2010. - 32 с. - Текст : непосредственный.Коломийцев А.С. Разработка технологических основ субмикронного профилирования поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков для создания микро- и наноструктур : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.27.01 / А. С. Коломийцев, 2011. - 23 с. - Текст : непосредственный.Талалай М.С. Метод логико-топологического синтеза нанометровых КМОП схем на основе транзисторных шаблонов : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.12 / М. С. Талалай, 2012. - 22 с. - Текст : непосредственный.Сараев М.В. Структурный синтез гетерогенных подсистем обработки информации в многофункциональных программируемых аналого-цифровых системах : автореф. дис. .. канд. техн. наук: 05.13.01 / М. В. Сараев, 2012. - 20 с. - Текст : непосредственный.Сычева, Анастасия Александровна. Особенности физического распыления перспективных нанопористых материалов ионами инертных газов низкой энергии : специальность 01.04.15 - Физика и технология наноструктур, атомная и молекулярная физика: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Сычева Анастасия Александровна, 2020. - 22 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Владимир Викторович. Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства СБИС проектных норм 65 нм : специальность 05.27.01- Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Иванов Владимир Викторович, 2021. - 35 с. - Текст : непосредственный.Иванов, Владимир Викторович. Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства СБИС проектных норм 65 нм : специальность 2.2.2 - Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук / Иванов Владимир Викторович, 2023. - 35 с. - Текст : непосредственный.Тихонова, Елена Дмитриевна. Исследование многократной литографии для улучшения разрешающей способности при производстве СБИС : специальность: 2.2.2. Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук / Тихонова Елена Дмитриевна, 2025. - 22 с. - Текст : непосредственный.
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
| Лицевая сторона карточки | Обратная сторона карточки |
Заказ фрагмента документа ₽