Полное описание
Аверин, И. А.
ГРНТИ УДК 29.19.31 537.311.322:539.216.2
Рубрики: Полупроводниковые пленки
Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ
Держатели документа: Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д8-99/49615)
Шифр в сводном ЭК: 27b905ac042f4f0930f79b157864f983
Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Нанотехнологии в микро- и наноэлектронике: получение, исследование, моделирование : учебное пособие / И. А. Аверин [и др.]; под редакцией И. А. Аверина, В. А. Мошникова, 2018. - 78 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Свойства спектрографических сред на базе полей, однородных по Эйлеру с нецелочисленными порядками однородности : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / И. А. Аверин, 2018. - 16 с. - Текст : непосредственный. Пористые оксидные газочувствительные материалы: получение и свойства / И. А. Аверин [и др.], 2014. - 147 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Исследование электрофизических свойств сегнетоэлектриков: системные связи и закономерности / И. А. Аверин, Е. А. Печерская, В. А. Соловьев, 2009. - 133 с. - Текст : непосредственный. Проектирование датчиков газа на основе металлооксидных пленок : учеб. пособие / И. А. Аверин [и др.], 2016. - 118 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Пассивные элементы на резистивных структурах : учеб. пособие / И. А. Аверин, В. Г. Недорезов, Р. М. Печерская, 2008. - 125 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Газочувствительность металлооксидных полупроводниковых пленок на основе материалов с отклонением от стехиометрии : учеб. пособие / И. А. Аверин, В. А. Мошников, И. А. Пронин, 2013. - 98 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Физические принципы работы и основные характеристики приемников оптического излучения : учеб. пособие / И. А. Аверин, С. Е. Игошина, А. А. Карманов, 2014. - 70 с. - Текст : непосредственный. Физические основы полупроводниковых газовых сенсоров : монография / И. А. Аверин [и др.], 2015. - 189 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Управляемый синтез гетерогенных систем: технология и свойства : автореф. дис. .. д-ра техн. наук: 05.11.14, 01.04.10 / И. А. Аверин, 2007. - 37 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Материалы микроэлектронных устройств : Учеб.пособие / И. А. Аверин, С. П. Медведев, Р. М. Печерская, 1993. - 59 c. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Романов О.В. Физика границ раздела и пограничных явлений / О. В. Романов, 1991. - 104 с. - Текст : непосредственный. Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, 1973. - 471 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Медведева И.Ф. Влияние примесного состава и предварительных термообработок на процессы образования и отжиг радиационных дефектов в кремнии -типа : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / И. Ф. Медведева, 1998. - 17 с. - Текст : непосредственный. Филатова Т.Н. Поверхностные физико-химические свойства полупроводниковой системы InSb-CdS : специальность 02.00.04 "Физическая химия" : диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук / Т. Н. Филатова, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Пивоваров Ю.В. Моделирование конвекции расплава полупроводникового материала при зонной плавке : специальность 05.13.18 "Математическое моделирование,численные методы и комплексы программ" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Ю. В. Пивоваров, 2006. - 19 с. - Текст : непосредственный. Абдуллаев А.А. Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в СdCr2Se4 / А. А. Абдуллаев, 2006. - 25 с. - Текст : непосредственный. Здоровейщев А.В. Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией / А. В. Здоровейщев, 2006. - 22 с. - Текст : непосредственный. Ткаченко В.А. Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / В. А. Ткаченко, 2007. - 18 с. - Текст : непосредственный. JAXA Special publication / Japan aerospace exploration agency (Tokyo). JAXA-SP-05-036E : Effects of microgravity environment on growth related properties of semiconductor alloys (InGaAs)- Growth of homogeneous crystals-, 2006. - 32 p. - Текст : непосредственный. Беляков В.А. Теория межзонной излучательной рекомбинации в кремниевых нанокристаллах, легированных мелкими примесями / В. А. Беляков, 2008. - 22 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Дмитриев А.И. Спиновая динамика в наноструктурах магнитных полупроводников / А. И. Дмитриев, 2008. - 20 с. - Текст : непосредственный. Ищенко А.А. Нанокремний: свойства, получение, применение, методы исследования и контроля / А. А. Ищенко, Г. В. Фетисов, Л. А. Асланов, 2011. - 647 с. - Текст : непосредственный. Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках / Р. Ш. Малкович, 1999. - 389 с. - Текст : непосредственный. La rivista del nuovo cimento.Ser.4 / Soc. italiana di fisica. 26, N 5-6 : Excitonic optical properties of nanostructures: real density matrix approach / G.Czajkowski,F.Bassani,L.Silvestri, 2003. - 150 p. - Текст : непосредственный. Семенов В.Н. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений : специальность 02.00.01 "Неорганическая химия" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра хим. наук / В. Н. Семенов, 2002. - 46 с. - Текст : непосредственный. Настовьяк А.Г. Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) / А. Г. Настовьяк, 2010. - 21 с. - Текст : непосредственный. Демишев С.В. Физические свойства аморфного антимонида галлия и аморфных полупроводников на его основе, синтезируемых в условиях высокого давления : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / С. В. Демишев, 1993. - 27 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Лицевая сторона карточки Обратная сторона карточки
Scheller K. Entstehung eines Nichtgleichgewichtszustandes in einem gekoppelten System aus Elektron-Loch Plasma und akustischen Phononen nach optischer Anregung in einer Halbleiterschicht : Diss. / K.Scheller, 1992. - 85 S. - Текст : непосредственный. Искендеров С.О. Физические свойства пленочных систем Bi Те -Bi Se / С. О. Искендеров, Г. М. Ахмедов, Н. М. Абдуллаев, 1991. - 13 c. - Текст : непосредственный. Курило И.В. Структура и физико-механические свойства кристаллов и пленок соединений АII ВVI / И. В. Курило, В. П. Алехин, 2011. - 570 с. - Текст : непосредственный. Металлооксидные пленки: синтез, свойства и применение : монография / С. И. Рембеза [и др.], 2018. - 171 с. - Текст : непосредственный. Ершов И.В. Введение в физику и технологию планарных наноструктур : учебное пособие / И. В. Ершов, В. В. Илясов, 2018. - 99 с. - Текст : непосредственный. Эфендиев Э.Г. Определение ближнего порядка в аморфных пленках Ybз As Sg / Э.Г.Эфендиев,Э.Ш.Гаджиев, 1990. - 7 с. - Текст : непосредственный. Экситон Ванье - Мотта в тонкой пленке анизотропного полупроводника / В.И.Бойчук,А.Т.Гамарник,Р.И.Пазюк,Н.И.Стасив, 1992. - 16 с. - Текст : непосредственный. Ткач Н.В. Размерное квантование спектраквазичастиц в сферической микропленке / Н.В.Ткач,В.А.Головацкий, 1990. - 12 с. - Текст : непосредственный. Атакулов Ш.Б. Термические и радиационно-стимулированные процессы в поликристаллических пленках халькогенидов свинца / Ш.Б.Атакулов,И.М.Конанбаев, 1992. - 96 с. - Текст : непосредственный. Свойства пленок Cd Zn и Cu S Cd Zn S -гетероструктур на их основе / А.И.Байремов,Т.Д.Джафаров,Х.И.Наджафов и др., 1991. - 31 с. - Текст : непосредственный. Палатник Л.С. Основы пленочного полупроводникового материаловедения : учеб. пособие / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин, 1973. - 295 с. - Текст : непосредственный. Carmona M.I.A. Herstellung und Ramanspektroskopische Untersuchungen epitaktischer Schichten von Ge, Si Ge-Mischkristallen und Si/Ge Ubergittern : Diss. / M.I.A.Carmona, 1989. - 197 S. - Текст : непосредственный. Nebel C.E. Ladungstragertransprt und Rekombination in a-SiGe:H : Diss. / C.E.Nebel, 1990. - 174 S. - Текст : непосредственный. Венгер Е.Ф. Фотостимулированные процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение / Е.Ф.Венгер, 2007. - 283 с. - Текст : непосредственный. Милехин А.Г. О повышении точности определения плазменной частоты по ИК-спектрам отражения эпитаксиальных пленок / А. Г. Милехин, О. А. Макаров, М. П. Синюков, 1990. - 26 с. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 1. Атомное упорядочение в GaAlAs. Структурный аспект / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1996. - 19 c. - Текст : непосредственный. Максимов С.К. Диссипативные структуры в эпитаксиальных слоях композиций А В 3. Возможный механизм формирования диссипативных структур / С.К.Максимов,К.С.Максимов, 1995. - 19 c. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Абрамов А.С. Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. С. Абрамов, 2001. - 20 с. - Текст : непосредственный. Аверин И.А. Получение и свойства эпитаксиальных слоев на основе халькогенидов свинца / И. А. Аверин, 1999. - 64 с. - Текст : непосредственный. Келбиханов Р.К. Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля / Р. К. Келбиханов, 2008. - 26 с. - Текст : непосредственный. Каблукова Н.С. Гальваномагнитные и термоэлектрические явления в монокристаллических пленках системы висмут-сурьма / Н. С. Каблукова, 2015. - 22 с. - Текст : непосредственный. Тамбасов И.А. Тонкие In2 O3 , Fe - In2 O3 и Fe3 O4 - ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: структурные, оптические, электрические и магнитные свойства / И. А. Тамбасов, 2014. - 23 с. - Текст : непосредственный. Мелешко Н.В. Метастабильные состояния, возникающие в пленках а-Si:H) под влиянием внешних воздействий : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Н. В. Мелешко, 1994. - 17 с. - Текст : непосредственный. Курило О.В. Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбида кремния : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / О. В. Курило, 2005. - 16 c. - Текст : непосредственный. Diamond films : материал технической информации, 1987. - 195 p. - Текст : непосредственный. Комолов А.С. Электронные свойства полупроводниковых структур, содержащих органические пленки политиофена и корбатина : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-миат.наук / А. С. Комолов, 1999. - 20 с. - Текст : непосредственный. Метлицкая А.В. Моделирование процессов самоорганизации наноструктур при ионном распылении поверхности полупроводников / А. В. Метлицкая, 2014. - 30 с. - Текст : непосредственный. Логинов Ю.Ю. Формирование структурных дефектов в монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводников А В : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ.-мат.наук / Ю. Ю. Логинов, 1996. - 26 с. - Текст : непосредственный. Нуждин М.Ю. Влияние тепловых полей на механизмы роста и фазовых превращений пленок теллурида и сульфотеллуридов кадмия : специальность 02.00.21 "Химия твердого тела" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. хим. наук / М. Ю. Нуждин, 2003. - 18 с. - Текст : непосредственный. Малков А.В. Реальная структура тонкопленочных кристаллов селена : специальность 01.04.07 "Физика конденсированного состояния" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. В. Малков, 2001. - 24 с. - Текст : непосредственный. Стародубцев А.Н. Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / А. Н. Стародубцев, 2000. - 28 с. - Текст : непосредственный. Фещенко И.С. Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (AS2S3) x .(As2Se3)1-x, легированных металлами : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. С. Фещенко, 2002. - 16 с. - Текст : непосредственный. Jiang X. Untersuchung mechanischer Eigenschaften von a0C:H- und a-Si:H-Schichten mittels Brillouin-Streuung und Nanoindenter / X. Jiang, 1990. - 92 S. - Текст : непосредственный. Моисеенко Е.Т. Структурные фазовые превращения и атомное упорядочение при твердофазных реакциях в тонкопленочных системах Cu/Au и Pd/Fe / Е. Т. Моисеенко, 2014. - 21 с. - Текст : непосредственный. Алтунин Р.Р. Фазообразование при твердофазных реакциях в тонких пленках на основе Al/Au и Fe/Si / Р. Р. Алтунин, 2014. - 22 с. - Текст : непосредственный. Жерихин А.Н. Нелинейная спектроскопия узкозонных полупроводниковых пленок Pr-Ba-Cu-O методом бигармонической накачки / А. Н. Жерихин, В. А. Лобастов, В. М. Петникова, 1992. - 8 с. - Текст : непосредственный. Барри Умар.Исследование роста эпитаксиальных слоев материалов и их некоторых электрофизических свойств : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук / Барри Умар, 1994. - 18 с. - Текст : непосредственный. Показать все результаты Заказать
Заказ фрагмента документа ₽
Приложение
для Android
