Полное описание

Feng, Y. Numerical simulation of two-dimensional electron transport in GaAs MESFETS using fully nonstationary transport models : diss. / Y.Feng. - dusseldorf : VDI Verl., 1991. - 171 p. : ill. - (Fortschritt-Berichte VDI. Reihe 9, Elektronik / Verein Dt.Ing. ; n114). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.93-100

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323.001.57(043)

Рубрики:
МОП-транзисторы -- Моделирование

Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОР
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): S/378/114)

Шифр в сводном ЭК: f2fbbd884dce2d8599af9dd0a0159e98

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽