• ВХОД
  •  

    Полное описание

    Блохин, А. М. Numerical investigation of the gas dynamic model for charge transport in semiconductors / А. М. Блохин, А. А. Иорданиди, И. З. Меражов. - Новосибирск : [б. и.], 1996. - 50 c. : ил. - (Препринт / Институт математики(Новосибирск) ; 33 май 1996). - 115 экз. - Текст : непосредственный.

    ГРНТИ УДК
    47.01.77621.382.001.57(04)

    Рубрики:
    Полупроводниковые приборы -- Моделирование

    Кл.слова (ненормированные): МОДЕЛИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР
    Доп. точки доступа:
    Иорданиди, А.А.
    Iohrdanidy A.A.
    Меражов, И.З.
    Merazhov I.Z.
    Blokhin A.M.

    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/11999/33 май 1996)

    Шифр в сводном ЭК: ed6178c1ed04ccd9494c2e2bda539ffb



    Заказ фрагмента документа ₽