Полное описание

Фотоэдс Р-П перехода на основе CdxHg1-xTe в условиях разогрева носителей заряда / З.Ф.Агаев,Н.Р.Мамедов,Г.С.Сеидли,Е.Б.Хыдырова. - Баку : [б. и.], 1991. - 11 c. : ил. - (Препринт ; 405). - 50 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр. в конце кн. (6 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383(04)

Рубрики:
Оптоэлектронные приборы

Доп. точки доступа:
Агаев, З.Ф.
Мамедов, Н.Р.
Сеидли, Г.С.
Хыдырова, Е.Б.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/22788/405)

Шифр в сводном ЭК: e4006f6b48164cb00d9b602e48b54270

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽