Полное описание

Lee, G. Y. Untersuchungen tiefer Haftstellen an Grenzflachen von Feldeffekttransistoren : Diss. / G.Y.Lee. - Hannover, 1992. - 127 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.116-121

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323(043)

Рубрики:
Транзисторы полевые

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17616)

Шифр в сводном ЭК: d0e9fc3a64897f82d50f4d309238fb37

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽