Полное описание

Study of surface and volume defects in carbon and silicon by methods of field ion and scanning tunneling microscopy / A.L.Suvorov,Yu.N.Cheblukov,N.E.Laazarev и др. - Moscow : [s. n.], 1998. - 12 p. : il. - (Препринт / Институт теоретической и экспериментальной физики(Москва) ; 24-98). - 123 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.29	621.385.032.9(04)

Рубрики:
Углерод -- Микроскопический метод исследования
Кремний -- Микроскопический метод исследования
Катоды -- Производство

Кл.слова (ненормированные): ИССЛЕДОВАНИЕ -- КАТОД -- КРЕМНИЙ -- МИКРОСКОПИЧЕСКИЙ МЕТОД -- ПРОИЗВОДСТВО -- УГЛЕРОД -- катод -- производство
Доп. точки доступа:
Suvorov, A.L.
Cheblukov, Yu.N.
Laazarev, N.E.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/11110/24-98)

Шифр в сводном ЭК: bb5a2937d454917edac5a7d683256426

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽