Полное описание

Применение методов ионного легирования для создания р-n переходов на InSb и InAs / Н.Н.Герасименко,А.А.Гузев,Г.Л.Курышев и др. - Новосибирск : [б. и.], 1991. - 39 c. : ил. - (Препринт ; 2(1991)). - 150 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 35-38 (34 назв.)

ГРНТИ	УДК
47.13.33	621.315.592:669.046.516(04)

Рубрики:
Полупроводники -- Ионное внедрение

Доп. точки доступа:
Герасименко, Н.Н.
Гузев, А.А.
Курышев, Г.Л.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/19085/2(1991))

Шифр в сводном ЭК: ba43dbef66052cc533b75e8e1e7ea0a7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽