Полное описание
> Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / О. А. Агеев [и др.]; под общ. ред. Р. В. Конаковой ; Нац. акад. наук Украины, Ин-т физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева. - Харьков : Ин-т монокристаллов, 2008. - 390 с. : ил. - (Состояние и перспективы развития функциональных материалов для науки и техники). - Библиогр. в конце гл. - 300 экз. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592-047.84 |
Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Доп. точки доступа:
Агеев, О.А.
Беляев, А.Е.
Болтовец, Н.С.
Конакова, Р.В.
Миленин, В.В.
Национальная академия наук Украины (Киев). Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/22418)>
Шифр в сводном ЭК: b8820838aaa16cc14a147dd1fab395ad
Заказ фрагмента документа ₽