Полное описание

Duschl, R. Epitaktisches Wachstum und Charakterisierung von Si/SiGe(C) Esaki-Tunneldioden : Diss. / R.Duschl. - Stuttgart, 2000. - 133 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.119-127

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.2:530.145(043)

Рубрики:
Диоды туннельные

Кл.слова (ненормированные): ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/21094)

Шифр в сводном ЭК: b5aa32be54086e5e632b7ca19f78db8b

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽