Полное описание

Zhang, Y. -H. Herstellung, Struktur und elektronische Eigenschaften von Ga x In1-x As/Al y In1-y As Heterostrukturen auf InP-Substrat : Diss. / Y.-H.Zhang. - Stuttgart, 1991. - 147 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.137-144

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Рубрики:
Гетеропереходы

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/17077)

Шифр в сводном ЭК: a68c2b912795eeb51afb25fb34599bff

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽