Полное описание

Lehmann, B. Strahlensch@:adigung durch Hochenergieelektronen in GaAs: Eine DLTS-Untersuchung : Diss / B.Lehmann. - Berlin : [s. n.], 1991. - 157 p. : ill. - (Berichte / Hahn-Meitner-Inst., ISSN 1431-4940 ; B 494). - Текст : непосредственный.
Рез.англ.Библиогр.:с.137-151
Перевод заглавия: Лучевое повреждение электронами высокой энергии в GaAs: DLTS-исследование:Дис

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:539.16(043)

Рубрики:
Галлий, арсениды -- Влияние ионизирующих излучений

Кл.слова (ненормированные): ГАЛЛИЙ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/3812/B 494)

Шифр в сводном ЭК: a5d5e787e2b031949eb9ea1ddba410f4

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽