Полное описание

Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами / С. С. Хлудков [и др.]; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т. - Томск : ТГУ, 2016. - 256 с. : ил. - Парал. тит. л. англ. Рез. англ. - Библиогр.: с. 228-253. - 250 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382

Рубрики:
Полупроводниковые приборы

Аннотация: В монографии изложены методы легирования GaAs примесями переходных металлов Fe, Cr,Mn и описаны его свойства. Большое внимание уделено анализу электронных процессов в сложных структурах на основе этого материала. Приведены диодов, фотоприемников УФ- и ИК- даипазонов, детекторов ионизирующих излучений, генераторов прямоугольных и мощных дельта-импульсов. Рассмотрены перспективы использования GaAs, легированного переходными металлами, в спинтронике. Для специалистов характеристики целого ряда разработанных приборов: переключающих лавинных S-в области материаловедения полупроводников.
Доп. точки доступа:
Хлудков, С.С.
Толбанов, О.П.
Вилисова, М.Д.
Прудаев, И.А.
Национальный исследовательский Томский гос. ун-т

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-16/61775)

Шифр в сводном ЭК: 9e1eb536783e5604042c9c7c6c4f6185

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽