Полное описание

Физические основы полупроводниковых газовых сенсоров : монография / И. А. Аверин [и др.] ; Пенз. гос. ун-т. - Пенза : ПГУ, 2015. - 189 с. : ил. - Авт. указ. на обороте тит. л. - Библиогр.: с. 176-189 (140 назв.). - 500 экз. - ISBN 978-5-906831-72-9. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
59.35.29	543.27.08

Рубрики:
Газоанализаторы полупроводниковые

Аннотация: Изложены основные модели для определения свойств полупроводников при проектировании приборов на их основе, включая газовые сенсоры. Представлены расчеты поверхностной плотности индуцированного заряда, дифференциальной емкости, поверхностной концентрации подвижных носителей заряда и эффективной длины экранирования Дебая от величины поверхностного потенциала. Рассмотрено влияние поверхностных состояний полупроводника на его поверхностную проводимость и дифференциальную емкость. Приведены математические модели адсорбции молекул газовой среды и проведено моделирование хемосорбционной проводимости и адсорбционной чувствительности газовых сенсоров. Описаны оригинальные конструкция и методика получения датчиков вакуума на основе наноструктурированных материалов. Проанализированы конструкции газовых сенсоров на основе МДП-структур и представлены современные транзисторные элементы наноэлектроники для создания высокочувствительных и селективных газовых сенсоров.
Доп. точки доступа:
Аверин, И.А.
Головяшкин, А.А.
Головяшкин, А.Н.
Игошина, С.Е.
Карманов, А.А.
Пензенский гос. ун-т

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Д10-15/31830)

Шифр в сводном ЭК: 98cc171c5c994863e7fdcefb4272cf5e

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽