Полное описание
> Водягин, Н. В. Закономерности эволюции неупорядоченных полупроводников и технологии элементов памяти на основе а-SiH : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Н. В. Водягин. - М., 1990. - 28 с. : ил. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : Моск. ин-т электрон. техники. Библиогр.:с. 26-28
ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592(043) | |
50.11.31 | 004.33.087.2(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР90-017434)>
Шифр в сводном ЭК: 8b9c517e3e0a60d67347dd48f25cab4c
Заказ фрагмента документа ₽