Полное описание
>
Акчурин, Р. Х. МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники / Р.Х. Акчурин, А. А. Мармалюк. - Москва : ТЕХНОСФЕРА, 2018. - 487 с. : ил. - (Мир материалов и технологий). - Библиогр. в конце гл. - 200 экз. - Текст : непосредственный.ГРНТИ | УДК | |
47.09.29 | 621.315.592.9-047.84 | |
47.13 | 621.383-03-047.84 | |
621.38-03-047.84 |
Рубрики:
Полупроводники -- Производство
Фотоника
Электронные материалы -- Производство
Аннотация: Рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС- гидридной эпитаксии (МОСГЭ)- одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов.
Доп. точки доступа:
Мармалюк, А.А.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-18/65163)>
Шифр в сводном ЭК: 7a770a5db93b04389cfbf9d32d296ba6
Заказ фрагмента документа ₽
Просмотр издания