Полное описание

Скворцов, А. А. Влияние магнитных полей на релаксацию метастабильных дефектов в полупроводниках / А. А. Скворцов, М. В. Корячко. - М. : Ваш формат, 2016. - 124 с. : ил. - Библиогр.: с. 115-124 (118 назв.). - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.548:548.4

Рубрики:
Полупроводники

Аннотация: В монографии представлены результаты исследований влияния магнитных полей на физико-механические свойства ряда полупроводников. Показано, что применительно к кристаллам кремния в ряде случаев магнитное поле может служить эффективным способом изменения подвижности линейных дефектов. Отражены результаты по влиянию постоянного магнитного поля на механические характеристики полупроводников GaAs, CaP.
Доп. точки доступа:
Корячко, М.В.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ж2-16/61792)

Шифр в сводном ЭК: 77b47c4e99ed836b168de66c77818362

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽