Полное описание
> Осиюк, И. Н. Влияние активных воздействий на спектры электронных состояний границ раздела и приповерхностных областей слоистых структур на основе Si и GaAs : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / И. Н. Осиюк. - Киев, 1991. - 16 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : АН УССР. Ин-т полупроводников АН УССР. Библиогр.:с. 14-16(12 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР91-014013)>
Шифр в сводном ЭК: 761fcdef40e1d1e90c8b62a67943173d
Заказ фрагмента документа ₽