Полное описание
> Freundt, D. Molekularstrahlepitaxie und elektronische Struktur von GaN und AIN/GaN Heterostrukturen : Diss / D.Freundt. - Aachen, 1997. - 166 S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.157-166
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9(043) |
Рубрики:
Гетеропереходы
Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/26545)>
Шифр в сводном ЭК: 66614ecd1e96cbdfa4b657746b98586f
Заказ фрагмента документа ₽