Полное описание

Генерация инверсий в устройствах памяти, облучаемых протонами с Ер=1ГэВ / С.В.Агеев,И.Б.Водопьянов,Ю.Б.Деревянко и др. - СПб. : [б. и.], 1992. - 16 с. : ил. - (Препринт / Петербургский ин-т ядерной физики им. Б. П. Константинова ; 1847). - 220 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 16 (5 назв.)

ГРНТИ	УДК
50.11.31	004.33.087.2:539.16(04)

Рубрики:
Запоминающие устройства полупроводниковые -- Влияние ионизирующих излучений

Кл.слова (ненормированные): ВЛИЯНИЕ -- ИОНИЗИРУЮЩЕЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Доп. точки доступа:
Агеев, С.В.
Водопьянов, И.Б.
Деревянко, Ю.Б.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/24446/1847)

Шифр в сводном ЭК: 65f9012ab023f83774d728e5b20aac66

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽