Полное описание

Goldhorn, A. Technologie und Charakterisierung von PIN-Diode und Heterostruktur-Bipolartransistoren im Materialsystem InP/InGaAs fur die Integration optischer Empfanger : Diss. / A.Goldhorn. - Darmstadt, 1997. - xiv,96 S. S. : Ill. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.91-96

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.396.624(043)

Рубрики:
Приемники излучения

Кл.слова (ненормированные): ПРИЕМНИК
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): G2/29641)

Шифр в сводном ЭК: 5faeb8966410df6576d069485459b8de

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽