Полное описание

Шашкин, И. С. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : автореф. дис. ... канд. фз.-мат. наук: 01.04.10 / И. С. Шашкин. - 2012. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 15-16. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.35.31	621.373.826.038.825.5(043)

Кл.слова (ненормированные): ОПТИЧЕСКАЯ МОЩНОСТЬ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар12-12615)

Шифр в сводном ЭК: 4aa0d85387b7c8bb983ddc4eb6a84ff7

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽