Полное описание

Влияние низкотемпературного облучения на фотоэлектрические характеристики Ge1-x Six / Ш.М.Аббасов,К.Р.Аллахвердиев,Г.Т.Агавердиева,В.А.Алиев. - Баку : [б. и.], 1990. - 38 с. : ил. - (Препринт ; 5(1990)). - 100 экз. - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с. 37-38 (20 назв.)

ГРНТИ	УДК
29.19.31	537.311.322:535.215(04)

Рубрики:
Полупроводники -- Фотоэлектрические свойства

Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИК -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СВОЙСТВО
Доп. точки доступа:
Аббасов, Ш.М.
Аллахвердиев, К.Р.
Агавердиева, Г.Т.
Алиев, В.А.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/22788/5(1990))

Шифр в сводном ЭК: 46461c6e17a4e4849f342b4f07c484cd

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽