Полное описание

Lundstrom, M. S. Nanoscale transistors. Device physics, modeling and simulation / M. S. Lundstrom, J. Guo. - New York, NY [etc.] : Springer sci. + Business Media, 2006. - VI, 217 p. : ill. - Библиогр. в конце частей. Указ.: с. 213-217. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.3-022.532

Рубрики:
Транзисторы

Доп. точки доступа:
Guo, J.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): J2/27781)

Шифр в сводном ЭК: 26ba6b631aee300499e2e2f8beaf3acf

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽