Полное описание
> Early stages of oxygen precipitation in silicon : proc.of the NATO Advanced research workshop on early stages of oxygen precipitation in silicon,Exeter,U.K.,March 26-29,1996 / Ed. R. Jones. - Dordrecht [etc.] : Kluwer, 1996. - XVIII,530 p. p. : ill. - (NATO ASI(Advanced science institutes)series. Partnership sub-series 3, High technology ; vol.17). - ISBN 0-7923-4296-8. - Текст : непосредственный.
Библиогр.в конце статей.Указ.:с.527-530
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:548.4(063) |
Рубрики:
Кремний -- Кристаллы -- Дефекты
Доп. точки доступа:
Jones, R.\ed.\
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/17841/17)>
Шифр в сводном ЭК: 26a41187c0c2ea878c2c1f82273f6798
Заказ фрагмента документа ₽