Полное описание
> Веденеев, А. А. Атомная структура поверхности GaAs(001)-4 x 2 при малой степени покрытия йодом : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. А. Веденеев. - М., 2007. - 26 с. : ил. - Библиогр.: с. 24-26. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:532.6(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар07-6906)>
Шифр в сводном ЭК: 23de881554515717cea2ec5aac80e013
Заказ фрагмента документа ₽