Полное описание

Kulik, M. Creation of oxygen-enriched layers at the surface of GaAs single crystal / M. Kulik, A. P. Kobzev, D. Maczka. - Dubna : [s. n.], 1999. - 8 p. : il. - (Препринт / Объединенный ин-т ядерных исследований(Дубна) ; Е15-99-265). - 270 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.09.29	621.315.592.3(04)

Рубрики:
Галлий, арсениды -- Ионное внедрение

Кл.слова (ненормированные): АРСЕНИД -- ГАЛЛИЙ -- ИОННОЕ ВНЕДРЕНИЕ
Доп. точки доступа:
Kobzev, A.P.
Maczka, D.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Н/2509/Е15-99-265)

Шифр в сводном ЭК: 23c00644e19daccb34989a267755be79

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽