Полное описание
> Бутусов, И. Ю. Неразрушающий электрический контроль структур SiO -Si в производстве МОП-транзисторов и МОП БИС : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. техн. наук: 05.27.01 / И. Ю. Бутусов. - Воронеж, 1998. - 18 с. : ил. - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с. 17-18(12 назв.)
ГРНТИ | УДК | |
47.13.11 | 621.382.323.002:658.562(043) | |
621.3.049.77-047.84(043) |
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР98-4394)>
Шифр в сводном ЭК: 156467c33ada35d0a4d27b01ce3e0675
Заказ фрагмента документа ₽