Полное описание

Алкеев, Н. В. Резонансно-туннельные гетероструктуры : новый подход в создании малошумящих полупроводниковых приборов / Н. В. Алкеев, А. А. Дорофеев, С. В. Аверин. - Текст : непосредственный // Нанотехника : инженер. журн. - 2008. - № 2. - С. 46-50. - Библиогр.: 21 назв.
ГРНТИ 47.09.48 + 29.19.22

Аннотация: Показано. что соответствующим образом спроектированный резонансно-туннельный диод и транзисторы, в которых он используется в качестве эмиттера электронов, будут иметь пониженный уровень шумов.
Доп. точки доступа:
Дорофеев, А.А.
Аверин, С.В.


Имеются экземпляры в отделах: всего 2 : ХРЦ (2)
Свободны: ХРЦ (2)
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): -687822-578121)

Шифр в сводном ЭК: 080ddd462fedad3e843324a513995ce6

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽