Шашкин И.С. Физические принципы повышения мощности полупроводниковых лазеров на основе AlGaAs/InGaAs/GaAs гетероструктур в непрерывном режиме генерации : автореф. дис. .. канд. фз.-мат. наук: 01.04.10 / И. С. Шашкин, 2012. - 16 с. - Текст : непосредственный.