Мозжерин А.В. Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковки : автореф. дис. .. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / А. В. Мозжерин, 2014. - 20 с. - Текст : непосредственный.
Концепции современного естествознания : Учебное пособие / Брильков А. В., 2019. - 172 с. - Текст : электронный.