Исследование глубоких уровней в структурах на основе селенида цинка, полученных путем ионной имплантации элементов I и V групп, методами емкостной спектроскопии, электро- и фотолюминесценции / А.Н.Георгобиани,З.П.Илюхина,А.Д.Левит и др., 1990. - 30 с. - Текст : непосредственный.