Полное описание

Усов, С. О. Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAIN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / С. О. Усов. - 2016. - 22 с. : ил. - Библиогр.: с. 19-22. - 100 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.52(043)

Кл.слова (ненормированные): ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ДИОДЫ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар16-7942)

Шифр в сводном ЭК: decd6559ed078aa81c174bdd5b51e8ff

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽