Полное описание
> Глотов, А. В. Структурные и оптические исследования легированных эпитаксиальных гетероструктур на основе А3В5 / А. В. Глотов. - 2011. - 16 с. : ил. - Библиогр.: с. 16 (7 назв.). - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
47.01.77 | 621.315.592.9(043) |
Кл.слова (ненормированные): МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Аннотация: Исследование особенностей атомного и электронного строения, оптических свойств полупроводниковых гетероструктур на основе тройных твердых растворов GaIniP и AlGaAs, легированных редкоземельными элементами и элементами четвертой группы - углеродом и кремнием. Выявление технологических условий роста, позволяющих получить наиболее согласованные по параметрам гетероструктуры.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР11-30770)>
Шифр в сводном ЭК: de7785bb9b7ca9a3d3579cfc95bfdcf9
Заказ фрагмента документа ₽