Полное описание

Majkusiak, B. Bardzo cienki tlenek bramkowy w tranzystorze MOS:Konsekwencje dla dzialania i modelowania / B.Majkusiak. - Warszawa : [s. n.], 1991. - 117 p. : ill. - (Elektronika:Prace naukowe / Politech.Warszawska ; n97). - Текст : непосредственный.
Рез.рус.,англ.Библиогр.:с.103-113
Перевод заглавия: Очень тонкие вентильные окислы в МОП-транзисторах.Результаты для производства и моделирования

ГРНТИ	УДК
47.33	621.382.323

Рубрики:
МОП-транзисторы

Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОР
Доп. точки доступа:
Politechnika Warszawska

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/11492/97)

Шифр в сводном ЭК: dde75500186855d3633a5a04691b2e9c

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽