Полное описание

Growth of AgGaS2 single crystals by chemical transport reaction / Y.Noda,T.Kurasawa,N.Sugai и др. - Sendai : [s. n.], 1990. - 6(757-761) p. p. : ill. - (The science report / Research institute for electric and magnetic materials(Sedai) ; n244). - Текст : непосредственный.
Библиогр.: с.760-761. Repr. from j. of crystal growth Vol.99(1990)757-761

ГРНТИ	УДК
47.33.33	621.383.002.3

Рубрики:
Оптоэлектронные приборы -- Материалы

Кл.слова (ненормированные): МАГНИТНЫЙ МАТЕРИАЛ -- ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРИБОР
Доп. точки доступа:
Noda, Y.
Kurasawa, T.
Sugai, N.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/11911/244)

Шифр в сводном ЭК: db8a27fe364187b9ae46a2b17334d327

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽