• ВХОД

    •  

    Полное описание

    High dielectric constant materials : VLSI MOSFET applications / ed. H. Huff, D. Gilmer ; ed. H. Huff. - Berlin ; Heidelberg : Springer, 2005. - on-line. - (Springer series in advanced microelectronics ; 16). - URL: http://dx.doi.org/10.1007/b137574. - ISBN 978-3-540-26462-0. - Текст : электронный.

    ГРНТИ УДК
    47.09.31621.382.323-03

    Кл.слова (ненормированные): ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
    Доп. точки доступа:
    Huff, H.\ed.\
    SpringerLink (Online service)

    http://dx.doi.org/10.1007/b137574


    Держатели документа:
    Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): 621.382.323-03/H65-321553)

    Шифр в сводном ЭК: d7bab0d9dd2b0fea2361ace383bf25e1



    Просмотр издания