Полное описание

Влияние дефектов подложек полуизолирующего GaAs и переходных элементов на оптические свойства квантоворазмерных структур AlGaAs/GaAs / С.А.Казарян,А.М.Гукасян,Н.Ф.Ораевский и др. - М. : [б. и.], 1995. - 29 c. : ил. - (Препринт / Физический ин-т им.П.Н.Лебедева(Москва) ; 32(1995)). - 50 экз. - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(04)

Рубрики:
Гетеропереходы -- Оптические свойства

Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД -- ОПТИЧЕСКОЕ СВОЙСТВО
Доп. точки доступа:
Казарян, С.А.
Гукасян, А.М.
Ораевский, Н.Ф.

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): М/9354/32(1995))

Шифр в сводном ЭК: d266c5853e1d2a0a638ea5f8a04d1933

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽