Полное описание

Блошкин, А. А. Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/SI с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.01.10 / А. А. Блошкин. - 2011. - 17 с. : ил. - Библиогр.: с. 14-15 (10 назв.). - Текст : непосредственный.

ГРНТИ	УДК
47.33	621.315.592.9(043)

Кл.слова (ненормированные): КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ -- МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ -- МНОГОСЛОЙНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ -- ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СТРУКТУРЫ
Аннотация: Построение электронной структуры многослойных напряженных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками II-го типа на основе экспериментальных методов и методов математического моделирования.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар11-19952)

Шифр в сводном ЭК: c48fa1fe60aaf11618a71dd3ef620442

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽