Полное описание
> Okumura, H. Study on the materials properties of semiconductor heterostructures qrown by molecular beam epitaxy / H.Okumura. - Tsukuba : [s. n.], 1990. - 120 p. : ill. - (Researches / Electrotechn.lab., ISSN 0366-9106 ; n911). - Текст : непосредственный.
Текст яп. Рез.англ.Библиогр.в конце ст
Перевод заглавия: Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур,выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
ГРНТИ | УДК | |
47.33 | 621.315.592.9 |
Рубрики:
Гетеропереходы
Кл.слова (ненормированные): ГЕТЕРОПЕРЕХОД
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/1872/911)>
Шифр в сводном ЭК: b9a959314fc6af95223fd9b3ca561406
Заказ фрагмента документа ₽