Полное описание

Тигишвили, М. Г. Характеристики радиационных дефектов в GaAs,возникающих в результате имплантации селена : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд.физ.-мат.наук:01.04.07 / М. Г. Тигишвили. - М., 1992. - 19 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг.: Рос.АН,Физ.ин-т им.П.Н.Лебедева. Библиогр.: с. 18(5 назв.).

ГРНТИ	УДК
47.09.29	621.315.592.002(043)

Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР92-2487)

Шифр в сводном ЭК: 915c0492a155a708967516cf0998ab2d

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽