Полное описание
> Сысоев, И. А. Эпитаксия твердых растворов AIIIBV с микро- и наноструктурой в поле температурного градиента : специальность 05.27.06 "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" : диссертация на соискание ученой степени д-ра техн. наук / И. А. Сысоев. - Ставрополь, 2010. - 30 с. : ил. - Библиогр.: с. 26-30. - Текст : непосредственный.
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.23(043) |
Аннотация: Разработаны основы градиентной эпитаксии многокомпонентных твердых растворов соединений AIIIBV с единой позиции в жидкой и газовой фазах, а также технологическая оснастка и цифровые системы управления для получения данных растворов.
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): Ар10-10321)>
Шифр в сводном ЭК: 77ab0ae560d833e9cee846113a1cc69a
Заказ фрагмента документа ₽