Полное описание

Неустроев, Е. П. Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (-10 кэВ/а.е.м.) и высоких (1МэВ/а.е.м.) энергий, при отжигах до 1050 С : специальность 01.04.10 "Физика полупроводников" : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук / Е. П. Неустроев. - Новосибирск, 2000. - 17 с. - Текст : непосредственный.
В надзаг. : АН РФ. Сиб. отд-ние. Объед. ин-т физики полупроводников. Библиогр.:с. 16-17

ГРНТИ	УДК
47.13.11	621.315.592.3(043)

Кл.слова (ненормированные): НИИ экономики организации - НИИ электростекла
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): АР01-1508)

Шифр в сводном ЭК: 68e95f348f2bc5a61bd59dded3d3a1bd

Заказать издание
Заказ фрагмента документа ₽