Полное описание
> Avset, B. S. Measurements and characterization of a hole trap in neutron-irradiated silicon / B.S.Avset. - Oslo : [s. n.], 1996. - 42 p. : ill. - (Rapport / Univ.i Oslo ; 96-07). - Текст : непосредственный.
Библиогр.:с.40-42
ГРНТИ | УДК | |
29.19.31 | 537.311.322:539.16 |
Рубрики:
Кремний -- Влияние ионизирующих излучений
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЙ
Держатели документа:
Государственная публичная научно-техническая библиотека России : 123298, г. Москва, ул. 3-я Хорошевская, д. 17 (Шифр в БД-источнике (KATBW): R/15656/96-07)>
Шифр в сводном ЭК: 5e667f571abf8f88a780563cb1050230
Заказ фрагмента документа ₽